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 Record high electron mobilities in high-purity GaN by eliminating C-induced mobility collapse 通过消除C诱导迁移率坍缩记录高纯GaN中的高电子迁移率
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Shota Kaneki; Taichiro Konno; Takeshi Kimura; Kazutaka Kanegae; Jun Suda; et al 出版日期：2024-01-01 |
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