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 Interface scattering dominated carrier transport in hysteresis-free amorphous InGaZnO thin film transistors with high-k HfAlO gate dielectrics by atom layer deposition 原子层沉积高k HfAlO栅介质无滞后非晶InGaZnO薄膜晶体管中界面散射主导载流子输运
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Ting Huang; Yan Zhang; Haonan Liu; Ruiqiang Tao; Chunlai Luo; et al 出版日期：2021-12-16 |
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