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 Low‐Power Nonvolatile Charge Storage Memory Based on MoS2 and an Ultrathin Polymer Tunneling Dielectric 基于MoS2和超薄聚合物隧道介质的低功耗非易失性电荷存储存储器
相关领域
材料科学
非易失性存储器
光电子学
电介质
二硫化钼
半导体存储器
纳米技术
量子隧道
动态随机存取存储器
计算机科学
复合材料
计算机硬件
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| 其它 |
期刊：Advanced functional materials 作者：Myung Hun Woo; Byung Chul Jang; Junhwan Choi; Khang June Lee; Gwang Hyuk Shin; et al 出版日期：2017-10-06 |
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