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Three types of resistive switching in ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 films mediated by polarization reversal and oxygen vacancy migration
极化反转和氧空位迁移介导的铁电Hf0.5Zr 0.5 O2薄膜中三种类型的电阻开关
相关领域
材料科学
铁电性
极化(电化学)
氧气
光电子学
空位缺陷
电阻随机存取存储器
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期刊:Rare Metals 作者:Zheng-Xu Zhu; Haoyu Zhao; He Wang; Zijian Wang; Jiachen Li; et al 出版日期:2024-08-01 |
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