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 Geometrically designed amorphous oxide semiconductor heterojunction thin-film transistors for enhanced electrical performance and stability 用于增强电性能和稳定性的几何设计的非晶氧化物半导体异质结薄膜晶体管
相关领域
材料科学
异质结
薄膜晶体管
阈值电压
光电子学
无定形固体
带材弯曲
半导体
氧化物
锌
晶体管
场效应
图层（电子）
氧化铟锡
电压
纳米技术
电气工程
冶金
化学
结晶学
工程类
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Express 作者：Sunghyun Park; Boyeon Park; Woojong Kim; Kunsang Yoo; Yong‐Hoon Kim 出版日期：2023-11-01 |
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