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 Performance enhancement of blue light-emitting diodes with InGaN/GaN multi-quantum wells grown on Si substrates by inserting thin AlGaN interlayers 通过插入薄AlGaN夹层增强Si衬底上InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的性能
相关领域
材料科学
光电子学
电致发光
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量子阱
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铟镓氮化物
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宽禁带半导体
氮化镓
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：S. Kimura; Hisashi Yoshida; Kenjiro Uesugi; Toshihide Ito; Aoi Okada; et al 出版日期：2016-09-21 |
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