Low-temperature annealing in O2 to annihilate the fixed charges in 4H-SiC/SiO2 interface induced by high-N-density nitridation process - 科研通

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标题	Low-temperature annealing in O2 to annihilate the fixed charges in 4H-SiC/SiO2 interface induced by high-N-density nitridation process 在O2中低温退火消除高氮密度氮化工艺诱导的4H-SiC/SiO2界面固定电荷相关领域退火（玻璃）材料科学固定费用光电子学宽禁带半导体 MOSFET 工程物理分析化学（期刊）凝聚态物理分子物理学电气工程晶体管化学电压物理冶金色谱法工程类
网址	https://doi.org/10.1109/led.2024.3400954
DOI	10.1109/led.2024.3400954 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Tianlin Yang; Takashi Onaya; Koji Kita 出版日期：2024-05-14
求助人	星月在 2024-12-12 21:05:37 发布自天津，悬赏 10 积分
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