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Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p ++ -GaN layer
通过控制p++-GaN层中的残余碳浓度改善与p-GaN的欧姆接触
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:Feng Liang; Degang Zhao; Desheng Jiang; Zongshun Liu; Jianjun Zhu; et al 出版日期:2017-03-09 |
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