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[高分] 专利、报告等 GSST（Ge2Sb2Se4Te）薄膜制备工艺参数
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| 其它 | 找了很多文献和专利，关于Ge2Sb2Se4Te溅射或热蒸发制备的具体过程没有描述，不知道能不能参考这篇文章中“Enhanced temperature stability and exceptionally high electrical contrast of selenium substituted Ge2Sb2Te5 phase change materials”的Ge2Sb2Te4Se（GST4S1）： 采用30w的GeSb2Te4（直径5 cm）和25w的GeSe（直径10 cm）共溅射制备，薄膜沉积时间75 s（∼35 nm），改变功率。 |
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@99giddensEnhanced temperature stability and exceptionally high electrical contrast of selenium substituted Ge2Sb2Te5 phase change materials†.pdf (1.17 MB)
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