标题 |
Study of Influence of HTGB and HTRB Tests on Parameters of 1200V SiC MOSFETs
HTGB和HTRB测试对1200V SiC MOSFET参数影响的研究
相关领域
材料科学
MOSFET
光电子学
电气工程
工程物理
电子工程
物理
电压
晶体管
工程类
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊: 作者:Haoran Zhao; Jie Tian; Rui Li; Pan Geng; Hai Bin Lin; et al 出版日期:2024-08-23 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|