Study of Influence of HTGB and HTRB Tests on Parameters of 1200V SiC MOSFETs

材料科学 MOSFET 光电子学 电气工程 工程物理 电子工程 物理 电压 晶体管 工程类
作者
Haoran Zhao,Jie Tian,Rui Li,Pan Geng,Hai Bin Lin,Qing Guo,Kuang Sheng
标识
DOI:10.1109/isset62871.2024.10779939

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