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 Optimized subsequent-annealing-free Ni/Ag based metallization contact to p-type GaN for vertical light emitting diodes with high yield and extremely low operating voltage (2.75 V@350 mA, >95%) 用于垂直发光二极管的优化的无后续退火Ni/Ag基金属化接触p型GaN，具有高产量和极低的工作电压（2.75 V@350 mA，>95%）
相关领域
材料科学
退火（玻璃）
光电子学
二极管
发光二极管
冶金
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