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 Electroforming-free threshold switching of NbOx–based selector devices by controlling conducting phases in the NbOx layer for the application to crossbar array architectures 通过控制NbOx层中的导电相实现基于NbOx的选择器器件的无电铸阈值开关，以应用于交叉阵列架构
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期刊：RSC Advances 作者：Kitae Park; Jiyeon Ryu; Dwipak Prasad Sahu; Hyun-Mi Kim; Tae-Sik Yoon 出版日期：2022-06-23 |
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