Study on Dislocation Annihilation Mechanism of the High-Quality GaN Grown on Sputtered AlN/PSS and Its Application in Green Light-Emitting Diodes

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标题	Study on Dislocation Annihilation Mechanism of the High-Quality GaN Grown on Sputtered AlN/PSS and Its Application in Green Light-Emitting Diodes 溅射AlN/PSS上高质量GaN的位错湮灭机理及其在绿光二极管中的应用研究相关领域阴极发光材料科学位错光电子学蓝宝石扫描电子显微镜金属有机气相外延化学气相沉积发光二极管二极管光学复合材料发光激光器外延物理图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2019.2904110
DOI	10.1109/ted.2019.2904110 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ruoshi Peng; Xijun Meng; Shengrui Xu; Jincheng Zhang; Peixian Li; et al 出版日期：2019-05-01
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