标题 |
First Demonstration of RESURF and Superjunction ß- Ga2O3 MOSFETs with p-NiO/n- Ga2O3 Junctions
具有p-NiO/n-Ga2O3结的RESURF和超结β-Ga2O3 MOSFET的首次演示
相关领域
非阻塞I/O
物理
化学
有机化学
催化作用
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DOI | |
其它 |
期刊:2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:Yibo Wang; Hehe Gong; Xiaole Jia; Genquan Han; Jiandong Ye; et al 出版日期:2021-12-11 |
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