标题 |
[高分] Numerical Study on the Growth Rate of Silicon Carbide Single Crystals in a High Temperature Chemical Vapor Deposition System
高温化学气相沉积碳化硅单晶生长速率的数值研究
相关领域
材料科学
碳化硅
化学气相沉积
沉积(地质)
硅
化学工程
碳化物
燃烧化学气相沉积
混合物理化学气相沉积
增长率
复合材料
冶金
纳米技术
薄膜
碳膜
生物
几何学
工程类
古生物学
数学
沉积物
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Nanoscience and Nanotechnology 作者:Seongkyung Kim; Sungin Suh; Jae Kyeong Jeong; Hyeong Joon Kim 出版日期:2017-11-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|