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 Novel Two-Terminal Synapse/Neuron Based on an Antiferroelectric Hafnium Zirconium Oxide Device for Neuromorphic Computing 用于神经形态计算的基于反铁电铪锆氧化物器件的新型双端突触/神经元
相关领域
神经形态工程学
材料科学
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神经促进
记忆电阻器
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神经元
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计算机科学
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神经科学
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电气工程
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生物
抑制性突触后电位
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期刊：Nano Letters 作者：Kangli Xu; Tianyu Wang; Lu Chen; Yifan Song; Yongkai Liu; et al 出版日期：2024-08-15 |
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