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Effects of three-step magnesium doping in p-GaN layer on the properties of InGaN-based light-emitting diode
三步镁掺杂对InGaN基发光二极管性能的影响
相关领域
材料科学 半最大全宽 兴奋剂 分析化学（期刊） 表面粗糙度 体积流量 氮化镓 铟 图层（电子） 发光二极管 掺杂剂 基质（水族馆） 氮化物 蓝宝石 光电子学 化学气相沉积 纳米技术 光学 复合材料 化学 激光器 地质学 物理 海洋学 量子力学 色谱法
网址
https://doi.org/10.1108/mi-02-2021-0016
AI链接 usm.my usm.mydoi.org
DOI
10.1108/mi-02-2021-0016 doi
其它 期刊：Microelectronics International
作者：Nur Atiqah Hamzah; M.A. Ahmad; R.I.M. Asri; Ezzah Azimah Alias; Mohd Ann Amirul Zulffiqal Md Sahar; et al
出版日期：2021-08-02
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罗罗的足球师傅 在 2024-12-17 17:32:56 发布自广东，悬赏 10 积分
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