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 Theoretical study on high-field carrier transport and impact ionization coefficients in 4H-SiC 4H-SiC中高场载流子输运和碰撞电离系数的理论研究
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Hajime Tanaka; Tsunenobu Kimoto; Nobuya Mori 出版日期：2024-04-01 |
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