Implementation of sub-100 nm vertical channel-all-around (CAA) thin-film transistor using thermal atomic layer deposited IGZO channel

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标题	Implementation of sub-100 nm vertical channel-all-around (CAA) thin-film transistor using thermal atomic layer deposited IGZO channel 使用热原子层沉积IGZO沟道实现亚100nm垂直沟道全方位（CAA）薄膜晶体管相关领域薄膜晶体管材料科学原子层沉积光电子学德拉姆晶体管动态随机存取存储器图层（电子）频道（广播）纳米技术电气工程电压工程类半导体存储器
网址	https://doi.org/10.1088/1674-4926/24010032
DOI	10.1088/1674-4926/24010032 doi
其它	期刊：Journal of Semiconductors 作者：Yu‐Ting Chen; Xinlv Duan; Xueli Ma; Yuan Peng; Zhengying Jiao; et al 出版日期：2024-07-01
求助人	马力在 2024-10-09 14:05:11 发布自广东，悬赏 10 积分
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