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Effect of interlayer on resistive switching properties of SnO2-based memristor for synaptic application
中间层对突触应用SnO2基忆阻器电阻开关特性的影响
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网址
https://doi.org/10.1016/j.rinp.2020.103325
AI链接 doi.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.1016/j.rinp.2020.103325 doi
其它 期刊：Results in Physics
作者：Mehr Khalid Rahmani; Muhammad Ismail; Chandreswar Mahata; Sungjun Kim
出版日期：2020-08-13
求助人
黎明 在 2024-12-22 12:38:17 发布自湖北，悬赏 10 积分
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