Design of normally-off p-GaN/AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors with re-grown AlGaN barrier

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标题	Design of normally-off p-GaN/AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors with re-grown AlGaN barrier 具有再生长AlGaN势垒的p-GaN/AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的设计相关领域异质结光电子学材料科学击穿电压阈值电压电场宽禁带半导体晶体管氮化镓阻挡层图层（电子）纳米技术电气工程电压工程类物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2023.127106
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2023.127106 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Xiumei Han; Lin Wang; Qiliang Wang; Shaoheng Cheng; Liuan Li; et al 出版日期：2023-04-01
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