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 Dislocation proliferation at the growth crystal/seed interface of physical vapor transport-grown 4H-SiC crystals 物理气相传输生长4H-SiC晶体生长晶体/晶种界面的位错增殖
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期刊：Physica Scripta 作者：Huadong Li; Xianglong Yang; Xiaocheng Jiang; Hongyu Shao; Guang‐Jun Hu; et al 出版日期：2024-08-16 |
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