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 Reliable measurement of the density of states including occupied in-gap states of an amorphous In–Ga–Zn–O thin film via photoemission spectroscopies: Direct observation of light-induced in-gap states 用光电发射光谱可靠测量非晶In-Ga-Zn-O薄膜的态密度，包括被占据的能隙态：光诱导能隙态的直接观测
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Ryotaro Nakazawa; Akiyoshi Matsuzaki; Kohei Shimizu; Ikuko Nakamura; Emi Kawashima; et al 出版日期：2024-02-23 |
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