Low‐Operating‐Voltage Resistive Switching Memory Based on the Interlayer‐Spacing Regulation of MoSe2

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标题	Low‐Operating‐Voltage Resistive Switching Memory Based on the Interlayer‐Spacing Regulation of MoSe2 基于MoSe2层间距调节的低工作电压电阻开关存储器相关领域材料科学电阻随机存取存储器单层拉曼光谱图层（电子）光电子学电压透射电子显微镜扫描电子显微镜纳米技术复合材料光学电气工程物理工程类
网址	https://doi.org/10.1002/aelm.202100905
DOI	10.1002/aelm.202100905 doi
其它	期刊：Advanced electronic materials 作者：Jiaying Jian; Feng Hao; Pengfan Dong; Honglong Chang; Arnaud Vena; et al 出版日期：2021-12-30
求助人	风轻扬在 2024-05-14 15:34:08 发布自美国，悬赏 10 积分
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