标题 |
Evidence for the electron trap state associated with N-rich clusters in InGaAsN/GaAs quantum wells
InGaAsN/GaAs量子阱中与富N团簇相关的电子陷阱态的证据
相关领域
材料科学
存水弯(水管)
电子
量子阱
彭宁离子阱
原子物理学
凝聚态物理
物理
量子力学
气象学
激光器
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其它 |
期刊:Nanotechnology 作者:J F Chen; P. C. Hsieh; R. S. Hsiao; Jiaxi Wang; J. Y. 出版日期:2007-05-08 |
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