Passivating defects in ZnO electron transport layer for enhancing performance of red InP-based quantum dot light-emitting diodes

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标题	Passivating defects in ZnO electron transport layer for enhancing performance of red InP-based quantum dot light-emitting diodes 钝化ZnO电子传输层缺陷提高红色InP基量子点发光二极管性能相关领域量子点钝化材料科学光电子学兴奋剂发光二极管二极管激子量子效率猝灭（荧光）图层（电子）涂层纳米颗粒电子传输链纳米技术化学荧光光学生物化学物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2023.112589
DOI	10.1016/j.materresbull.2023.112589 doi
其它	期刊：Materials Research Bulletin 作者：Meijing Ning; Ke Zhao; Lijia Zhao; Sheng Cao; Jialong Zhao; et al 出版日期：2024-02-01
求助人	Faiz 在 2024-08-19 14:00:46 发布自福建，悬赏 10 积分
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