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Review on the Reliability Mechanisms of SiC Power MOSFETs: A Comparison Between Planar-Gate and Trench-Gate Structures
SiC功率MOSFETs可靠性机制综述：平面栅极与沟槽栅极结构的比较
相关领域
材料科学 MOSFET 碳化硅 可靠性（半导体） 功率MOSFET 光电子学 晶体管 电气工程 功率（物理） 工程类 计算机科学 电压 物理 量子力学 冶金
网址
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/63/10130043/10098210.pdf...
DOI
10.1109/tpel.2023.3265864 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Power Electronics
作者：Jiaxing Wei; Zhaoxiang Wei; Hao Fu; Junhou Cao; Tuanzhuang Wu; et al
出版日期：2023-04-11
求助人
KULI 在 2024-12-17 16:52:56 发布自天津，悬赏 10 积分
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