The effect of oxygen vacancy on switching mechanism of ZnO resistive switching memory

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标题	The effect of oxygen vacancy on switching mechanism of ZnO resistive switching memory 氧空位对ZnO电阻开关存储器开关机制的影响相关领域材料科学电阻随机存取存储器氧气密度泛函理论电压凝聚态物理氧化物电子普尔-弗伦克尔效应光电子学纳米技术薄膜化学物理计算化学量子力学冶金
网址	https://doi.org/10.1063/1.4976512
DOI	10.1063/1.4976512 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Cong Hu; Qi Wang; Shuai Bai; Min Xu; Deyan He; et al 出版日期：2017-02-13
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