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 Temperature dependence of electron and hole mobilities in heavily impurity-doped SiGe single crystals 重杂质掺杂SiGe单晶中电子和空穴迁移率的温度依赖性
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Ichiro Yonenaga; W. J. Li; Takaya Akashi; T. Ayuzawa; Takashi Goto 出版日期：2005-09-15 |
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