Synaptic variation reduction via embedding Au nanocrystals in resistive switching layer and bottom electrode interface for CuTe/CuO/TiN-stacked synaptic device

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标题	Synaptic variation reduction via embedding Au nanocrystals in resistive switching layer and bottom electrode interface for CuTe/CuO/TiN-stacked synaptic device CuTe/CuO/TiN叠层突触器件在电阻开关层和底部电极界面嵌入Au纳米晶减少突触变化相关领域材料科学锡电极神经形态工程学光电子学纳米晶嵌入电阻式触摸屏图层（电子）纳米技术计算机科学人工神经网络人工智能化学物理化学冶金计算机视觉
网址	https://doi.org/10.1007/s40042-023-00950-3
DOI	10.1007/s40042-023-00950-3 doi
其它	期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：Dong-Hyun Park; Jea‐Gun Park 出版日期：2023-11-20
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