Horizontal and vertical stacked Ag/MoS2 nanostructure enabled excellent carrier mobility and optoelectronic properties

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标题	Horizontal and vertical stacked Ag/MoS2 nanostructure enabled excellent carrier mobility and optoelectronic properties 水平和垂直堆叠的Ag/MoS2纳米结构具有优异的载流子迁移率和光电性能相关领域材料科学电子迁移率发光光电子学欧姆接触拉曼光谱基质（水族馆）纳米结构纳米技术图层（电子）光学海洋学物理地质学
网址	https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2022.108408
DOI	10.1016/j.optlastec.2022.108408 doi
其它	期刊：Optics and Laser Technology 作者：Haiquan Liu; Cheng‐Bao Yao; Cai-Hong Jiang 出版日期：2022-11-01
求助人	Nostalgia_9 在 2024-07-20 14:40:38 发布自浙江，悬赏 10 积分
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