| 标题 |
 Ferroelectric FET with Gd-doped HfO2: A Step Towards Better Uniformity and Improved Memory Performance 含掺Eu的OfO2铁电场效应晶体管：迈向更好均匀性和改进存储器性能的一步
相关领域
铁电性
材料科学
电容器
兴奋剂
光电子学
堆栈（抽象数据类型）
铁电电容器
极化（电化学）
电子工程
电气工程
电压
计算机科学
电介质
化学
物理化学
工程类
程序设计语言
|
| 网址 | |
| DOI |
10.1109/snw51795.2021.00012
doi
|
| 其它 |
期刊：IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop 作者：N. Ronchi; Lars‐Åke Ragnarsson; L. Breuil; Kaustuv Banerjee; S. R. C. McMitchell; et al 出版日期：2021-06-13 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
Singularity
paparazzi221
HEIKU
寻道图强
带头大哥
Yziii
星辰大海
InfoNinja
iNk
吃不饱星球球长
shinysparrow
Hayat
yufanhui
从容芮
lch23560
爱静静
坚强的广山
熊熊面包
pluto
安静夏兰
皖公网安备34019202002308
