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 High mobility Ti, Zr and Ga-codoping In2O3 transparent conductive oxide films prepared at low temperatures 低温制备高迁移率Ti、Zr、Ga共掺杂In2O3透明导电氧化物薄膜
相关领域
材料科学
透明导电膜
铟
透射率
退火（玻璃）
兴奋剂
电子迁移率
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氧化物
薄膜
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期刊：Journal of Materials Science: Materials in Electronics 作者：Yiyang Liu; Fanying Meng; Jianhua Shi; Wei Huang; Wenzhu Liu; Zhengxin Liu 出版日期：2021-01-27 |
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