Improved Optoelectronic Characteristics of Ga-In co-Doped ZnO UV Photodetectors by Asymmetric Metal Contact Structure

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标题	Improved Optoelectronic Characteristics of Ga-In co-Doped ZnO UV Photodetectors by Asymmetric Metal Contact Structure 非对称金属接触结构改善Ga-In共掺杂ZnO紫外光电探测器的光电特性相关领域材料科学响应度光电子学纤锌矿晶体结构光电流薄膜光电探测器电极兴奋剂旋涂微晶暗电流紫外线半导体纳米技术锌化学物理化学冶金
网址	https://www.mdpi.com/2073-4352/12/5/746/pdf?version=16533020... AI链接 mdpi.com mdpi.comdoi.org
DOI	10.3390/cryst12050746 doi
其它	期刊：Crystals 作者：Chien‐Yie Tsay; Hsuan-Meng Tsai; Yun-Chi Chen 出版日期：2022-05-23
求助人	崔迎松在 2024-01-09 19:57:59 发布自湖北，悬赏 10 积分
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