Atomistic approach for modeling metal-semiconductor interfaces

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标题	Atomistic approach for modeling metal-semiconductor interfaces 金属-半导体界面建模的原子方法相关领域半导体兴奋剂密度泛函理论肖特基势垒材料科学厚板代表（政治）电荷（物理）肖特基二极管统计物理学计算机科学光电子学电子工程计算化学物理化学量子力学工程类地球物理学政治学法学政治二极管
网址	https://doi.org/10.1109/nano.2016.7751401
DOI	10.1109/nano.2016.7751401 doi
其它	期刊：作者：Daniele Stradi; Umberto Martinez; Anders Blom; Mads Brandbyge; Kurt Stokbro 出版日期：2016-08-01
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