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 Modulating interface performance between 2D semiconductor MoSi2N4 and its native high-k dielectric Si3N4 二维半导体MoSi2N4与其天然高k电介质Si3N4界面性能的调制
相关领域
接口（物质）
半导体
材料科学
光电子学
电介质
高-κ电介质
工程物理
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工程类
复合材料
毛细管数
毛细管作用
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期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Jiahao Chen; Yang Zuo; C. K. Ong; Jingyu He; Yang� Yang; et al 出版日期：2024-01-01 |
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