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标题
RESURF Region Variation Induced Current Crowding Effect on HV p-LDMOS
RESURF区变化对HV p-LDMOS的电流拥挤效应
相关领域
LDMOS 快速回复 材料科学 当前拥挤 晶体管 击穿电压 兴奋剂 光电子学 电气工程 电流（流体） 电压 工程类
网址
https://doi.org/10.1109/ipfa58228.2023.10249061
DOI
10.1109/ipfa58228.2023.10249061 doi
其它 期刊：
作者：Jian‐Hsing Lee; Ching‐Ho Li; Karuna Nidhi; Chih-Hsuan Lin; Chieh-Yao Chuang; et al
出版日期：2023-07-24
求助人
迅速白梦 在 2024-12-20 22:21:52 发布自陕西，悬赏 10 积分
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