InGaAs/InP Schottky barrier diode with submicron T-shaped contact and Cut-Off frequency above 9 THz

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标题	InGaAs/InP Schottky barrier diode with submicron T-shaped contact and Cut-Off frequency above 9 THz 亚微米T形接触截止频率高于9 THz的InGaAs/InP肖特基势垒二极管相关领域材料科学肖特基势垒太赫兹辐射光电子学肖特基二极管钝化电介质金属半导体结电容二极管寄生电容图层（电子）电极复合材料化学物理化学
网址	https://doi.org/10.1016/j.infrared.2022.104173
DOI	10.1016/j.infrared.2022.104173 doi
其它	期刊：Infrared Physics & Technology 作者：Xiaoyu Liu; Yong Zhang; Haoran Wang; Chengkai Wu; Haomiao Wei; et al 出版日期：2022-04-07
求助人	jacob258 在 2024-12-21 22:05:23 发布自江苏，悬赏 10 积分
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