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Erratum: “Solution-processed ITO thin-film transistors with doping of gallium oxide show high on-off ratios and work at 1 mV drain voltage” [Appl. Phys. Lett. 116, 141604 (2020)]
勘误表:“掺杂氧化镓的溶液处理ITO薄膜晶体管显示出高通断比,并在1 mV漏极电压下工作”[Appl.Phys.Lett.116,141604(2020)]
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Ya-Fang Wang; Zhaogui Wang; Kairong Huang; Xiaoci Liang; Chenning Liu; et al 出版日期:2020-05-26 |
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