| 标题 |
 Effect of drift layer doping and NiO parameters in achieving 8.9 kV breakdown in 100 μm diameter and 4 kV/4 A in 1 mm diameter NiO/β-Ga2O3 rectifiers 漂移层掺杂和NiO参数对直径为100 μ m的NiO/β-Ga2O3整流器实现8.9 kV击穿和直径为1 mm的NiO/β-Ga2O3整流器实现4 kV/4 A击穿的影响
相关领域
非阻塞I/O
击穿电压
材料科学
功勋
兴奋剂
光电子学
薄脆饼
肖特基势垒
肖特基二极管
阴极
电气工程
饱和电流
异质结
电压
二极管
化学
工程类
催化作用
生物化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
毛豆
cocolu
pluto
劲秉
SYLH
藤椒辣鱼
Singularity
ceeray23
FIN
pcr163
子车茗
一一
36456657
研友_Z14Yln
杳鸢
无名老大
iNk
VDC
竹筏过海
坚强的广山
皖公网安备34019202002308
