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标题
TCAD Simulation of the Effect of Buffer Layer Parameters on Single Event Burn-Out in p-GaN Gate HEMTs
缓冲层参数对p-GaN栅极HEMTs单层烧毁影响的TCAD模拟
相关领域
高电子迁移率晶体管 光电子学 晶体管 缓冲器（光纤） 材料科学 图层（电子） 击穿电压 电气工程 分析化学（期刊） 化学 电压 纳米技术 工程类 色谱法
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2024.3403085
DOI
10.1109/ted.2024.3403085 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：G X Zhang; Shenglei Zhao; Zhizhe Wang; Xiufeng Song; Shuang Liu; et al
出版日期：2024-05-27
求助人
1223 在 2024-12-04 13:15:40 发布自江苏，悬赏 10 积分
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