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Quantitative compositional analysis of InxGa1−xN/GaN multiquantum wells in light-emitting diodes
发光二极管中InxGa1-xN/GaN多量子阱的定量成分分析
相关领域
材料科学 光电子学 发光二极管 二极管
网址
https://doi.org/10.1557/jmr.2015.188
DOI
10.1557/jmr.2015.188 doi
其它 期刊：Journal of materials research/Pratt's guide to venture capital sources
作者：Youngji Cho; Jung Sik Park; Jun‐Mo Yang; Kyung Jin Park; Yun Chang Park; et al
出版日期：2015-07-06
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甜美的秋尽 在 2024-11-29 11:45:26 发布自江西，悬赏 10 积分
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