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 4H-SiC V-Groove Trench MOSFETs with Low Specific On-State Resistance and High Reliability 具有低比导通电阻和高可靠性的4H-SiC V型沟槽沟槽MOSFET
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期刊：Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM) 作者：Yasuki Mikamura; Kosuke Uchida; Y. Saitoh; Toru Hiyoshi; Takeyoshi Masuda; et al 出版日期：2016-09-01 |
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