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 Triple-metal gate work function engineering to improve the performance of junctionless cylindrical gate-all-around Si nanowire MOSFETs for the upcoming sub-3-nm technology node 为即将到来的亚3纳米技术节点提高无结圆柱栅极全能硅纳米线MOSFET性能的三金属栅极功函数工程
相关领域
跨导
MOSFET
CMOS芯片
材料科学
金属浇口
纳米线
工作职能
光电子学
电气工程
栅氧化层
物理
纳米技术
晶体管
电压
工程类
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Journal of Computational Electronics 作者：Sanjay; Vibhor Kumar; Anil Vohra 出版日期：2024-04-01 |
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