| 标题 |
 A latch-up-free LVTSCR with improved overshoot characteristic for ESD protection in 40 nm CMOS process 一种用于40nm CMOS工艺ESD保护的具有改进过冲特性的无锁存LVTSCR
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Ruibo Chen; Hongxia Liu; Dan Guo; Wei Huang; Xiaozong Huang; et al 出版日期：2021-03-30 |
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