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标题
Dynamic Avalanche Free Design in 1.2kV Si-IGBTs for Ultra High Current Density Operation
用于超高电流密度工作的1.2 kV Si-IGBT动态无雪崩设计
相关领域
可靠性（半导体） 极限（数学） 电流（流体） 电流密度 材料科学 电气工程 功率（物理） 绝缘栅双极晶体管 工作（物理） 沟槽 电子工程 光电子学 工程类 电压 机械工程 物理 纳米技术 数学分析 量子力学 数学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993596
DOI
10.1109/iedm19573.2019.8993596 doi
其它 期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
作者：Peng Luo; E.M. Sankara Narayanan; Shin‐ichi Nishizawa; Wataru Saito
出版日期：2019-12-01
求助人
害怕的丹雪 在 2025-04-01 10:13:25 发布自上海，悬赏 10 积分
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