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标题
Deleterious electrostatic interaction in silicon passivation stack between thin ALD Al2O3 and its a-SiNX:H capping layer: numerical and experimental evidences
薄ALD Al2O3与其a-SiNX：H覆盖层之间硅钝化堆叠中的有害静电相互作用：数值和实验证据
相关领域
钝化 材料科学 堆栈（抽象数据类型） 光电子学 图层（电子） 硅 场效应 原子层沉积 等离子体增强化学气相沉积 分析化学（期刊） 纳米技术 化学 计算机科学 色谱法 程序设计语言
网址
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S187661021...
AI链接 doi.orgdoi.org
DOI
10.1016/j.egypro.2017.09.328 doi
其它 期刊：Energy Procedia
作者：Fabien Lebreton; Raphaël Lachaume; Pavel Bulkin; François Silva; Sergej A. Filonovich; et al
出版日期：2017-09-22
求助人
小星星 在 2025-04-30 16:27:59 发布自湖南，悬赏 10 积分
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