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![]() 采用烧结铜芯片连接的3.3 kV 1000 A高功率密度全SiC功率模块的性能改进
相关领域
模具(集成电路)
铜
材料科学
功率(物理)
功率密度
电气工程
光电子学
冶金
工程类
纳米技术
物理
量子力学
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其它 |
期刊:IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 作者:Kan Yasui; Takahiro Morikawa; Seiichi Hayakawa; Tsuyoshi Funaki 出版日期:2024-07-09 |
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