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Lattice damage and compositional changes in Xe ion irradiated InxGa1-xN (x = 0.32−1.0) single crystals
Xe离子辐照InxGa1-xN(x=0.32−1.0)单晶的晶格损伤和成分变化
相关领域
辐照
离子
渠化
卢瑟福背散射光谱法
铟
材料科学
分析化学(期刊)
通量
氙气
晶格常数
化学
衍射
光电子学
核物理学
有机化学
物理
光学
色谱法
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其它 |
期刊:Journal of Applied Physics 作者:Limin Zhang; Weilin Jiang; Amila Dissanayake; Jinxin Peng; Wensi Ai; et al 出版日期:2016-06-28 |
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